1、静态电源电流IDDQ测试是用于评估芯片在静态工作模式下从电源（VDD）到地（GND）的直流电流的测试方法，主要用于衡量芯片的漏电功耗，是评估芯片制造质量、可靠性和功耗的重要指标。 以下是对其详细介绍：定义与原理：IDDQ表示芯片在静态工作模式（无时钟切换、逻辑状态稳定）下的直流电流。
2、IDDQ测试流程主要包括测试准备、测试执行、数据分析及结果判定四个阶段，具体如下：测试准备需使用自动测试模式生成（ATPG）工具生成特定的IDDQ测试向量，确保覆盖电路关键节点。
3、IDDQ测试 目的：IDDQ测试主要用于检测CMOS电路中的故障，如桥接故障或栅源短接故障，这些故障会导致静态电源电流显著增加。 原理：在静态工作情况下，无故障的CMOS电路的电源总电流应为微安数量级。当电路出现故障时，电源总电流可超过毫安数量级。
电流流出正极就是输出功率，流入正极就是吸收功率。下面的图：电阻端电压为10V（左负右正），电流源端电压为15-10=5V（上正下负）。此时电压源输出功率，电流源吸收功率（电流源端电压上正下负）。
即 P出＝E * I －I^2 * r，I 是电流 或写成 P出＝－r * { I －[ E / （2r） ] }^2＋[ E^2 / （4 r ） ]显然，输出功率 P出 与电流 I 的关系曲线是一条抛物线。如下图。
闭合开关后，两只灯泡发光。由于并联时灯泡两端电压相等，通过观察电流表示数和灯泡亮度可知：在U相同的情况下，通过的电流I大的，灯泡较亮。即 功率较大。P=UI。如果想比较电功率跟电压的关系，则需要控制通过两灯的电流相同，组成左侧的电路。
输入为高电平时的静态功耗计算：当输入信号为高电平时，NMOS闭合，但存在开关电阻（R_{ON}）。此时电路中的电流通过（R_{ON}），产生静态功耗。静态功耗计算公式为：（P = I^2R_{ON}），其中（I）为通过（R_{ON}）的电流。输入为低电平时的静态功耗计算：当输入信号为低电平时，NMOS断开，电路中无电流通过。
单电源供电场景当运放采用单电源（如+5V）时，直接通过电源电压$V_{S}$与静态电流$I_{q}$相乘计算静态功耗。例如使用5V供电且手册标注$I_{q}$为1mA时，功耗即5V×1mA=5mW。双电源供电场景若运放采用±$V_{S}$供电（如±12V），计算公式需多乘系数2以覆盖正负电源共同作用。
静态功耗的计算公式为：静态功耗=静态电流×电压。其中，静态电流是电路在静止状态下通过的电流，电压是电路的工作电压。静态功耗反映了电路在静止状态下所消耗的功率。动态功耗包括开关功耗和短路功耗。开关功耗的计算公式大致为：开关功耗=0.5×电容负载×电压×频率切换×切换次数。
电子元器件的功耗计算基于电压和电流的乘积。公式表示为：Ptotal = V * I，其中Ptotal代表总功耗，V是电压，I是电流。 动态功耗（Pdynamic）由电容充放电产生，以及P/N MOS晶体管同时导通时形成的短路电流（Pswitch）。
静态功耗的计算公式为：Ps = Vcc × Icc。例如，对于74LVC125A器件，在25℃时漏电流为1μA，在125℃时漏电流能达到40μA。当Vcc=3V时，其静态功耗Ps = 3V×40μA = 0.132mW。
定义：静态功耗（static power），又称漏电流功耗（leakage power），主要由工艺本身决定。成因：尽管现代芯片的工作电压已经很低，每个MOS管的漏电流很小，但由于芯片中集成了大量的晶体管，整体leakage power仍然较大。工艺越先进的芯片，其leakage power的功耗占比通常越大。
1、cpu功耗天梯图是一种通过功耗性能指数对处理器进行排名的工具。这种图表通常将处理器根据其性能表现和能耗效率分组，从而直观地使消费者了解不同型号cpu之间的相对水平。特别是在2023年到2024年，随着制程工艺的进步，处理器的能效比被进一步优化，这对天梯图的更新提出了新的要求。
2、天玑8300/8200-Ultra/8200：联发科天玑中高端系列处理器在性能和功耗方面取得了良好的平衡，适合追求性价比的用户。骁龙7+ gen3/7 Gen3/778G Plus：高通中高端系列处理器在性能和功耗方面同样表现出色，适合追求性能和续航平衡的用户。
3、E5cpu天梯图概览 cpu天梯图通常用来显示不同型号处理器的性能排名，它是科技爱好者和硬件选购者的重要参考工具。在2024年的更新中，E5系列cpu有了显著的提升，新款型号不仅在计算能力上有所提高，还有更好的功耗管理和散热设计。更新背后的技术革新 2024年的E5系列cpu在架构上做出了重要改进。
4、根据使用需求选择合适的产品。如果您是游戏爱好者，建议关注高频率、高缓存的型号，如AMD的Ryzen77800X3D或Intel的Corei9-13900KF。如果您从事视频剪辑或3D建模等工作，多核心处理器如Ryzen97950X或Corei9-13900K会给您带来更大的便利。考虑能效比和散热需求。
最新显卡功耗天梯图解析 2024年的显卡市场竞争激烈，主要由NVIDIA和AMD两大厂商领衔。NVIDIA的RTX4090和RTX4080凭借其强劲的性能和先进的架构位居天梯榜前列。而AMD则以RX7900XTX和RX7800XT紧随其后。
年黑苹果独显天梯图解读 在过去两年中，显卡行业经历了较大革新，尤其是在NVIDIA和AMD两大巨头的竞争推动下，新一代显卡在性能、能效和价格上都有了显著改进。2024年，NVIDIA的Adalovelace架构与AMD的RDNA3架构成为市场的主打型号。
在2024年的显卡天梯图中，MX250位于中低端性能区间，适合喜欢便携且对图形性能要求不高的用户。它为用户提供了一种成本效益较高的选择，可以应对日常办公、高清视频播放以及轻度游戏，如《英雄联盟》和较低特效设置的《守望先锋》。
关注散热效果：高性能显卡往往会提高整机的发热量，因此在选购时要特别注意笔记本的散热设计是否优秀，以免在高负载操作时出现过热降频的问题。内容延伸：随着AI技术的发展，独显的应用场景也在逐渐扩大，不再局限于游戏和设计。在深度学习、数据分析等领域，强大的显卡能大幅提升计算速度和效率。
